IC: пам'ять SRAM; 64кБSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷3,6В; SOIC8; -40÷125°C

Немає в наявності
Код товару: 23K640-E/SN
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 100
Код товару: 23K640-E/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: туба
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 64кб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Стандартне пакування виробника: 100шт.
Структура пам'яті: 8Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 32нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 25В; X6S; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 25В; X6S; ±10%; SMD; 0805

3,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; PIN: 4; прямий
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; PIN: 4; прямий

16,16 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
4
Клас горючості:
UL94V-0
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 34,8Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 34,8Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Блок живлення: контролер; LED; DALI,DALI 2; 12÷48ВDC; 16А; IP20
Блок живлення: контролер; LED; DALI,DALI 2; 12÷48ВDC; 16А; IP20

6077,05 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
12...48В DC
Вихідний струм:
16А
Вентилятор: DC; 69,5x63,9x54,95мм; blower; 24ВDC; 24,62м3/г; 49дБА
Вентилятор: DC; 69,5x63,9x54,95мм; blower; 24ВDC; 24,62м3/г; 49дБА

10735,57 грн

Вид вентилятора:
blower
Вид підшипника:
кульковий
Додаткові функції:
датчик Холла
Напруга живлення:
24В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,9пФ
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

163,46 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8

151,42 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба

122,91 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

133,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

114,67 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI