IC: пам'ять SRAM; 8кБSRAM; 8Кx8бит; 20нс; LQFP64; паралельний

Немає в наявності
Код товару: 7005L20PFGI
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 30
Крок додавання: 30
Код товару: 7005L20PFGI
Виробник: RENESAS
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Корпус: LQFP64
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8кБ SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 8Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 20нс
Недоступний
Резистор: thick film; 2,61кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 2,61кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 34,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 34,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,04 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Підставка; PIN: 5; 10А; 250ВAC; PCB; для друку; -55÷70°C; G2R-1-S
Підставка; PIN: 5; 10А; 250ВAC; PCB; для друку; -55÷70°C; G2R-1-S

174,86 грн

Виводи:
для друку
Застосування - серія/виробник:
G2R-1-S
Кількість пін:
5
Монтаж:
PCB
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJP06D
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJP06D

2,83 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0402

20,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Резистор: thick film; 26,7Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 26,7Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,77 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 40А; 300В
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 40А; 300В

2098,96 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Клас горючості:
UL94V-2
Колір корпусу:
натуральний
Матеріал контакту:
латунь; сплав міді; сталь
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD