IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 1024Кx8бит; 25нс; FBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY14B108L-BA25XI
3912,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1495
Крок додавання: 1495
Код товару: CY14B108L-BA25XI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1024Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 25нс
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 3,2А; ±20%; Isat: 4,1А
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 3,2А; ±20%; Isat: 4,1А

18,88 грн

Високосортність:
30
Діаметр:
7,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0201

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
1мкФ
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C

0,13 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 6,3ВDC; ±20%; 3000г; EXV
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 6,3ВDC; ±20%; 3000г; EXV

4,94 грн

Висота:
5,4мм
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,8пФ
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; 250В; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; 250В; 4А; PUR

831,22 грн

Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR; ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷20А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷20А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

2414,47 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості вимірювальних приладів:
виготовлення згідно з вимогами клієнта
Властивості шкали:
робоче положення 90°
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD