IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 1024Кx8бит; 3,3В; TSOP44 II; -40÷105°C

Немає в наявності
Код товару: AS7C38096A-10TANTR
803,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C38096A-10TANTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...105°C
Структура пам'яті: 1024Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Резистор: thick film; 11кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 11кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 2,2мкФ; 305В; THT; ±10%; 27,5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 2,2мкФ; 305В; THT; ±10%; 27,5мм

18,06 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 24Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 24Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм

6,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73P; 200В
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73P; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 36,5Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 36,5Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 4,5ВDC; DPDT; 2А; 0,5A/125ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 4,5ВDC; DPDT; 2А; 0,5A/125ВAC

182,46 грн

Зовнішні розміри:
10x6x5,65мм
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
2А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,7пФ
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

229,35 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

489,74 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II

371,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний

508,11 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

1344,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
16Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II

786,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM