IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 1024Кx8бит; 3В; 55нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: AS6C8008B-55BIN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: AS6C8008B-55BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 3В
Структура пам'яті: 1024Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 55нс
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 2; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 50-600%@5mA
Оптрон; THT; Ch: 2; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 50-600%@5mA

65,26 грн

CTR@If:
50-600%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Відповідність стандарту:
VDE
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V

398,51 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,2мм
Недоступний
З`єднання: на рейку; Entrelec
З`єднання: на рейку; Entrelec

606,31 грн

Alias:
HD120/30.F10.31.1
Серія виробника:
Entrelec
Тип з`єднання:
на рейку
Резистор: thin film; 475Ом; 0805; 130мВт; ±1%; RT; -55÷125°C
Резистор: thin film; 475Ом; 0805; 130мВт; ±1%; RT; -55÷125°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
475Ом
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C

16901,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

2897,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

973,14 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32

280,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

480,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit