IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 10нс; VFBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1051H30-10BVXI
994,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2400
Крок додавання: 2400
Код товару: CY7C1051H30-10BVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thin film; 76,8Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 76,8Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

32,12 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 4÷32ВDC; 30А; 48÷660ВAC
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 4÷32ВDC; 30А; 48÷660ВAC

6746,71 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
3,2x98x3,9мм
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thin film; 9,88кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 9,88кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 11,8кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 11,8кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,00 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 35ВDC; Ø10x10,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 35ВDC; Ø10x10,5мм; ±20%

5,51 грн

Висота:
10,5мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; PS; 200В

2,40 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; RK73B; 150В
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±5%; RK73B; 150В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

229,35 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

489,74 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II

371,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний

508,11 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

1344,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
16Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II

786,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM