IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR
634,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thin film; 7,77кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 7,77кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 127Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 127Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%

122,28 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; ±1%; 200В; 0,25мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; ±1%; 200В; 0,25мм; -55÷155°C

0,43 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Амперметр; цифровий,монтажний; 4÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний
Амперметр; цифровий,монтажний; 4÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний

5340,22 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
струму DC
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Недоступний
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 84,5кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 274кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 274кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C

1828,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1194,88 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2072,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils

345,92 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C

159,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44

118,47 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM