IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS64WV51216EDBLL-10CTLA3
1026,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 135
Крок додавання: 135
Код товару: IS64WV51216EDBLL-10CTLA3
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thin film; 3,3кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 3,3кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Амперметр; цифровий,монтажний; 4÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний
Амперметр; цифровий,монтажний; 4÷20мА; ±(0,2%+1digit); панельний

5340,22 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
струму DC
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 1210

25,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 30,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 30,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 2,37Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 2,37Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,79 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; ERJU02J
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; ERJU02J

0,49 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Вентилятор: DC; 50x50x15,5мм; осьовий; 12ВDC; 33,06м3/г; 42,3дБА
Вентилятор: DC; 50x50x15,5мм; осьовий; 12ВDC; 33,06м3/г; 42,3дБА

0,00 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1473,01 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32

150,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28

446,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32

577,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

501,77 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD