IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; miniBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS62WV51216BLL-55BLI
448,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 312
Крок додавання: 312
Код товару: IS62WV51216BLL-55BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: miniBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP6; туба
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP6; туба

27,24 грн

Вид виходу:
Darlington
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 1,5нФ; 400ВDC; 250ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 1,5нФ; 400ВDC; 250ВAC

9,25 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Допуск:
±10%
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: ізольований підсилювач; 3,75кВ
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: ізольований підсилювач; 3,75кВ

548,02 грн

Вид виходу:
ізольований підсилювач
Кількість каналів:
1
Корпус:
Gull wing 8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X7S; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X7S; ±10%; SMD; 1206

5,83 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 7,5ВDC; SMT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 7,5ВDC; SMT

130,51 грн

Вихідна напруга:
7,5В DC
Вихідна напруга 2:
-7,5В DC
Вихідний струм:
67мА
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD