IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS62WV51216BLL-55TLI-TR
396,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IS62WV51216BLL-55TLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; M12 прямий "папа",RJ45 вилка; 45м
Кабель: до датчиків; PIN: 8; M12 прямий "папа",RJ45 вилка; 45м

16096,70 грн

Довжина кабелю:
45м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP20; IP66K; IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 104кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 104кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 3,4кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 3,4кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 3,24кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 3,24кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Перетворювач: AC/DC; 5Вт; Uвх: 85÷264ВAC,120÷370ВDC; Uвих: 5ВDC
Перетворювач: AC/DC; 5Вт; Uвх: 85÷264ВAC,120÷370ВDC; Uвих: 5ВDC

558,16 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
85...264В AC; 120...370В DC
Зовнішні розміри:
25,4x25,4x16,3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; CR-M; 5x2,5мм
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; CR-M; 5x2,5мм

0,00 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 23,2кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; TFR
Резистор: thin film; 23,2кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; TFR

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1473,01 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 15нс; SOJ28; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 15нс; SOJ28; паралельний; 0÷70°C

83,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32

150,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28

446,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32

577,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

501,77 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM