IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48

Немає в наявності
Код товару: AS1C512K16P-70BINTR
126,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: AS1C512K16P-70BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: PSRAM; асинхронна
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: FPBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,6...3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 70нс
Недоступний
Резистор: metal oxide; 6,8кОм; THT; 3Вт; ±5%; 750В; Ø6x16,5мм
Резистор: metal oxide; 6,8кОм; THT; 3Вт; ±5%; 750В; Ø6x16,5мм

11,09 грн

Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
Ø6x16,5мм
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Монтаж:
THT
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 10А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 10А

735,56 грн

Виводи:
конектори
Зовнішні розміри:
28x21,5x36мм
Індикація:
LED
Конструкція:
захисний діод
Недоступний
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 4; гніздовий; промислова; RT360; IP67
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 4; гніздовий; промислова; RT360; IP67

425,75 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Відповідність стандарту:
UL E63093
Електричний монтаж:
затискання
Кристал; 6МГц; SMD; 20пФ; ±30ppm; ±5ppm/рік; 1мВт; HC49SM; -20÷70°C
Кристал; 6МГц; SMD; 20пФ; ±30ppm; ±5ppm/рік; 1мВт; HC49SM; -20÷70°C

23,76 грн

Довготривала стабільність:
±5ppm/рік
Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
20пФ
Корпус:
HC49SM
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 10; М12 "папа",М12 "мама" кутовий; 30В
Кабель: до датчиків; PIN: 10; М12 "папа",М12 "мама" кутовий; 30В

1101,75 грн

Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
10
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Резистор: thick film; 4,87кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 4,87кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 223Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 223Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD