IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,7÷3,6В; 55нс; TSOP48

Немає в наявності
Код товару: AS6C8016-55TINTR
424,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: AS6C8016-55TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TSOP48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 55нс
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206

12,67 грн

Alias:
KGM31BR72A473KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Машинне свердло; для деревини; Ø: 32мм; L: 90мм
Машинне свердло; для деревини; Ø: 32мм; L: 90мм

385,83 грн

Використання інструментів:
дерево
Відповідність стандарту:
DIN 7483
Діаметр свердла:
32мм
Довжина:
90мм
IC: цифровий; NAND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC70-5; 1,65÷5,5ВDC; -40÷85°C
IC: цифровий; NAND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC70-5; 1,65÷5,5ВDC; -40÷85°C

4,43 грн

Вид затвору:
NAND
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
single; 1
Корпус:
SC70-5
Недоступний
Провід; JZ-500-PUR; JZ; 34G1мм2; неекранований; 300В,500В; Cu
Провід; JZ-500-PUR; JZ; 34G1мм2; неекранований; 300В,500В; Cu

831,22 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Наконечник; конус; 1мм; 420÷475°C; до паяльної станції
Наконечник; конус; 1мм; 420÷475°C; до паяльної станції

1118,22 грн

Застосування паяльного обладнання:
до паяльної станції
Модель:
з нагрівачем
Розміри наконечника:
1мм
Супутні товари:
TMT-9000S-2
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

756,46 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,25А
Вхідна напруга:
36...72В DC
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 6,3ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 6,3ВDC; ±20%

19,83 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
12,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2Кx8бит; 4,75÷5,5В; 70нс; DIP24

1171,44 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP24
Монтаж:
THT
Пам'ять:
16кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 35нс; SOP32

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ44

118,47 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 4,2нс; паралельний; 0÷70°C

9785,24 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1212846,14 грн

Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

1087,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ44; 400mils

188,80 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD