IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: AS6C8016A-55ZINTR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS6C8016A-55ZINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 47Ом; SMD; 500мА; 0603; R: 300мОм; BLM
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 47Ом; SMD; 500мА; 0603; R: 300мОм; BLM

0,79 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс при 100МГц:
47Ом
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,26 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,55x0,85x0,45мм
Недоступний
Резистор: thin film; 107Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 107Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

37,38 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 360Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 360Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

17,11 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 152Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 152Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

2,92 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 2Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 200ppm/°C

0,76 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
2Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HV; 2кВ
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; HV; 2кВ

2,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
3кВ
Корпус - дюйм:
2010
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 5В; 25нс; SOP32; паралельний

508,11 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

1344,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
16Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II

786,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; -40÷85°C

245,82 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C

1077,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C