IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel

Немає в наявності
Код товару: CY7C1062GE30-10BGXI
2458,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 168
Крок додавання: 168
Код товару: CY7C1062GE30-10BGXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: PBGA119
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512kx32bit
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
З'єднувачі; 4000шт.
З'єднувачі; 4000шт.

1824,47 грн

Вживання антистатичних елементів:
для з'єднання стрічок SMT; для подаючих пристроїв pick and place SMT
Кількість в наборі/упаковці:
4000шт.
Супутні товари:
PRT-STST100201
Тип антистатичних аксесуарів:
з'єднувачі
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 100В; X7S; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 100В; X7S; ±20%; SMD; 2220

171,04 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 16,7В; двоспрямована; Ch: 8; -55÷150°C; MDA
Діод: TVS; 3кВт; 16,7В; двоспрямована; Ch: 8; -55÷150°C; MDA

3336,62 грн

Зворотна напруга макс.:
15В
Кількість каналів:
8
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
16,7В
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 18мкФ; 500ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 18мкФ; 500ВDC; ±20%

62,72 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
31,5мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм; висока довговічність; висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
12,5мм
Недоступний
Кінцева планка; HP; бежевий
Кінцева планка; HP; бежевий

0,00 грн

Колір:
бежевий
Серія виробника:
HP
Тип аксесуарів для роз’ємів:
кінцева планка
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА

207,79 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
84мА
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPST-NO; 10A/250ВAC; RM12N
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPST-NO; 10A/250ВAC; RM12N

127,33 грн

Зовнішні розміри:
28,5x10,1x12,5мм
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
11,7В DC
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,18 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

455,48 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 8нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 8нс; TSOP44 II

314,85 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,14 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2021,48 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1114,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C