IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 2.5V; 7.5ns; TQFP100; parallel

Немає в наявності
Код товару: IS61VF204836B-7.5TQLI
7712,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 72
Крок додавання: 72
Код товару: IS61VF204836B-7.5TQLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TQFP100
Монтаж: SMD
Пам'ять: 72Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 2Mx36bit
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 7,5нс
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: HDC
Корпус для з’єднувачів: HDC

0,00 грн

Тип корпусу для з’єднувачів:
HDC
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 1,2А; SIP8
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 1,2А; SIP8

1162,57 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
1,2А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Діод: TVS; 94,9В; двоспрямована; P600; 15кВт; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 94,9В; двоспрямована; P600; 15кВт; Ch: 1; ролик,cтрічка

624,05 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
85В
Кількість каналів:
1
Корпус:
P600
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C

16901,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

2897,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

973,14 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32

280,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

480,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit