1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Transistor modules

Модуль; 1,2кВ; 173А; 745Вт; SiC

Модуль; 1,2кВ; 173А; 745Вт; SiC
Немає в наявності
Код товару: MSCSM120AM16T1AG
8182,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: MSCSM120AM16T1AG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Потужність розсіювання: 745Вт
Струм стока: 173А
Технологія: SiC
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Недоступний
Датчик: тиску; 0÷5psi; зразковий; OUT: аналоговий; THT; SIP; 5В
Датчик: тиску; 0÷5psi; зразковий; OUT: аналоговий; THT; SIP; 5В

2264,11 грн

Діапазон вимірювання тиску:
0...5psi
Конфігурація виходу:
аналоговий
Корпус:
SIP
Монтаж:
THT
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 2; NC x2; синій; LED; IP66
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 2; NC x2; синій; LED; IP66

938,84 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP66
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,регульований; 2,5÷25В; 3А; D2PAK-5
IC: стабілізатор напруги; LDO,регульований; 2,5÷25В; 3А; D2PAK-5

739,92 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; регульований
Вихідна напруга:
2,5...25В
Вихідний струм:
3А
Вхідна напруга:
4,3...30В
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC

4324,24 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-5...20В
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 220А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 220А; SOT227B; пригвинчуваний

2214,07 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; пригвинчуваний

3168,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
264нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; Idm: 500А; SiC
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; Idm: 500А; SiC

10014,92 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-10...20В
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 320А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 320А; SOT227B; пригвинчуваний

1963,20 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; пригвинчуваний

2434,52 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-10...20В
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 400А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 400А; SOT227B; пригвинчуваний

1797,23 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
60В