Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; пригвинчуваний

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFN44N100Q3
3169,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFN44N100Q3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Заряд затвора: 264нКл
Корпус: SOT227B
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±40В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 0,22Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 960Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 38А
Струм стоку в імпульсі: 110А
Технологія: HiPerFET™; Q3-Class
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Час готовності: 300нс
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 60В; 1А; 400мВт; SOT323
Транзистор: NPN; біполярний; 60В; 1А; 400мВт; SOT323

20,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,3А; 125Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,3А; 125Вт; D2PAK; ESD

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Недоступний
Резистор: thin film; 1,74кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 1,74кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Індикатор: LED; червоний; 8÷48ВDC; PM3; проводи; 300мм; пластик
Індикатор: LED; червоний; 8÷48ВDC; PM3; проводи; 300мм; пластик

735,56 грн

Виводи:
проводи
Діаметр діода ДУВ:
5,9мм
Довжина відводів:
0,3м
Колір індикатора:
червоний
Диск SSD; 64ГБ; M.2 2280; 3D TLC NAND; SATA 3.2; -40÷85°C
Диск SSD; 64ГБ; M.2 2280; 3D TLC NAND; SATA 3.2; -40÷85°C

7062,86 грн

Вид пам’яті:
3D TLC NAND
Об’єм пам’яті:
64ГБ
Підключення:
M.2 2280
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A

112,14 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний

2320,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
250нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1839,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2423,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2289,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний

2273,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний

1456,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP