Модуль; 1,2кВ; 251А; 1,04кВт; SiC

Name: Модуль; 1,2кВ; 251А; 1,04кВт; SiC
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: MSCSM120VR1M11CT6AG
Price: 20389.03 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: MSCSM120VR1M11CT6AG

20389,03 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

MSCSM120VR1M11CT6AG

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Напруга сток-джерело:

1,2кВ

Опір в стані провідності:

10,4мОм

Потужність розсіювання:

1,04кВт

Струм стока:

251А

Технологія:

SiC

Тип напівпровідникового модуля:

транзисторний MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний

2320,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Електричний монтаж:
пригвинчуваний

Заряд затвора:
250нКл

Корпус:
SOT227B

Бажані

Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1839,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Електричний монтаж:
пригвинчуваний

Заряд затвора:
255нКл

Корпус:
SOT227B

Бажані

Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний

1912,70 грн

Вид упаковки:
туба

Електричний монтаж:
пригвинчуваний

Корпус:
SOT227B

Механічний монтаж:
пригвинчуваний

Бажані

Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2423,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Електричний монтаж:
пригвинчуваний

Заряд затвора:
230нКл

Корпус:
SOT227B

Бажані

Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2289,03 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Електричний монтаж:
пригвинчуваний

Корпус:
ISOTOP

Бажані

1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ

Технологія:
SiC

Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET

Бажані

Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний

2273,19 грн

Вид каналу:
збагачений

Електричний монтаж:
пригвинчуваний

Заряд затвора:
240нКл

Корпус:
SOT227B