1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Transistor modules

Модуль; 1,2кВ; 79А; 310Вт; SiC; Ugs: -10÷25В

Модуль; 1,2кВ; 79А; 310Вт; SiC; Ugs: -10÷25В
Немає в наявності
Код товару: MSCSM120SKM31CTBL1NG
4293,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4
Код товару: MSCSM120SKM31CTBL1NG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Напруга затвор-джерело: -10...25В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Потужність розсіювання: 310Вт
Струм стока: 79А
Технологія: SiC
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8

78,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Недоступний
Резистор: дротяний; 5,6Ом; THT; 5Вт; ±5%; Ø8x20мм; осьові; L: 20мм
Резистор: дротяний; 5,6Ом; THT; 5Вт; ±5%; Ø8x20мм; осьові; L: 20мм

23,00 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
8мм
Довжина:
20мм
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 48МГц; 2÷2,7ВDC; SMD; QFN44; PIC18
IC: мікроконтролер PIC; 48МГц; 2÷2,7ВDC; SMD; QFN44; PIC18

225,52 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PMP; PoR; RTCC; watchdog; XLP
Інтерфейс:
I2C; LIN; MSSP x2; RS232; RS485; SPI; USART x2
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1800мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1800мА

2266,65 грн

Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
1,8А
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Модуль; транзистор/транзистор; 150В; 330А; HB9434; пригвинчуваний
Модуль; транзистор/транзистор; 150В; 330А; HB9434; пригвинчуваний

7626,01 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
HB9434
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
150В
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 112А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 112А; SOT227B; пригвинчуваний

1858,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
250нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; пригвинчуваний

876,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
193нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; пригвинчуваний

1603,38 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 500А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 500А; SOT227B; пригвинчуваний

2225,47 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
60В
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1783,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; діод SiC/транзистор; 1,7кВ; 40А; SOT227; пригвинчуваний
Модуль; діод SiC/транзистор; 1,7кВ; 40А; SOT227; пригвинчуваний

2294,52 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227
Механічний монтаж:
пригвинчуваний