Модуль; 700В; 241А; 690Вт; SiC

Немає в наявності
Код товару: MSCSM70VR1M10CT3AG
10099,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2
Код товару: MSCSM70VR1M10CT3AG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Напруга сток-джерело: 700В
Потужність розсіювання: 690Вт
Струм стока: 241А
Технологія: SiC
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; М12 "папа"; прямий; 3м; вилка; 7001; PUR
Кабель: до датчиків; М12 "папа"; прямий; 3м; вилка; 7001; PUR

1920,12 грн

Довжина кабелю:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Колір ізоляції:
зелений
Конструкція кабелю/переходу:
М12 "папа"
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",М8 прямий "мама"
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",М8 прямий "мама"

2646,74 грн

Довжина кабелю:
8м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67; IP68
Недоступний
Голівка приводу
Голівка приводу

2774,71 грн

Комплектуючі систем управління:
голівка приводу
Резистор: thick film
Резистор: thick film

36783,25 грн

Тип резистора:
thick film
Недоступний
Роз’єм: живлення AC; вилка; роз'єм живлення; 10А; 250ВAC; 250В
Роз’єм: живлення AC; вилка; роз'єм живлення; 10А; 250ВAC; 250В

1282,19 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Відповідність стандарту:
CCC
Клас герметичності:
IP40
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Резистор: thick film
Резистор: thick film

66,52 грн

Тип резистора:
thick film
Недоступний
Датчик: фотоелектричний
Датчик: фотоелектричний

13902,68 грн

Тип датчика:
фотоелектричний
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний

2319,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
250нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1839,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний

1913,79 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний

2272,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2415,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2281,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5557,65 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET