Модуль; діод SiC/транзистор; 1,2кВ; 44А; SP1F; Press-in PCB; 245Вт

Name: Модуль; діод SiC/транзистор; 1,2кВ; 44А; SP1F; Press-in PCB; 245Вт
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: MSCSM120AM50CT1AG
Price: 4258.11 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: MSCSM120AM50CT1AG

4258,11 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 9

Крок додавання: 9

Код товару:

MSCSM120AM50CT1AG

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Електричний монтаж:

Press-in PCB

Корпус:

SP1F

Механічний монтаж:

пригвинчуваний

Напруга сток-джерело:

1,2кВ

Опір в стані провідності:

50мОм

Потужність розсіювання:

245Вт

Структура напівпровідника:

діод SiC/транзистор

Струм стока:

44А

Струм стоку в імпульсі:

110А

Технологія:

SiC

Тип напівпровідникового модуля:

транзисторний MOSFET

Топологія:

напівміст MOSFET + паралельні діоди; термістор NTC

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,6пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 01005

0,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
X8G

Ємність:
6,6пФ

Недоступний

Бажані

Діод: TVS; 0,3кВт; 50В; 37,4А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

83,00 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Зворотна напруга макс.:
45В

Кількість каналів:
1

Корпус:
DO214AB; SMC

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; THT; straight

43,08 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Довжина:
24,9мм

Електричний монтаж:
THT

Недоступний

Бажані

Діод: TVS; 3кВт; 12,2В; 164,8А; односпрямована; SMC; Ch: 1; -65÷150°C

124,18 грн

Зворотна напруга макс.:
11В

Кількість каналів:
1

Корпус:
SMC

Монтаж:
SMD

Недоступний

Бажані

Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвих: 12ВDC; SIP8; THT; AM1G-Z; ККД: 77%

616,45 грн

Вихідна напруга:
12В DC

Кількість виходів:
1

ККД:
77%

Корпус:
SIP8

Недоступний

Бажані

IC: мікроконтролер; 200МГц; NFBGA169; CAN,I2C,LIN,SPI,USART,USB

867,34 грн

Вид архітектури:
32бит

Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PWM

Інтерфейс:
CAN; I2C; LIN; SPI; USART; USB

Кількість таймерів 16бит:
3

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 500В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0805

10,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
X8G

Ємність:
9,9пФ

Це може вас зацікавити

Бажані

Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC

4325,90 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний

Корпус:
SOT227B

Механічний монтаж:
пригвинчуваний

Напруга затвор-джерело:
-5...20В

Бажані

Модуль; одиночний транзистор; 150В; 220А; SOT227B; пригвинчуваний

2213,00 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний

Корпус:
SOT227B

Механічний монтаж:
пригвинчуваний

Напруга затвор-джерело:
-20...20В

Бажані

Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; пригвинчуваний

3169,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Електричний монтаж:
пригвинчуваний

Заряд затвора:
264нКл

Корпус:
SOT227B

Бажані

Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; Idm: 500А; SiC

10018,39 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний

Корпус:
SOT227B

Механічний монтаж:
пригвинчуваний

Напруга затвор-джерело:
-10...20В

Бажані

Модуль; одиночний транзистор; 100В; 320А; SOT227B; пригвинчуваний

1961,48 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний

Корпус:
SOT227B

Механічний монтаж:
пригвинчуваний

Напруга затвор-джерело:
-20...20В

Бажані

Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; пригвинчуваний

2433,48 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний

Корпус:
SOT227B

Механічний монтаж:
пригвинчуваний

Напруга затвор-джерело:
-10...20В

Бажані

Модуль; одиночний транзистор; 60В; 400А; SOT227B; пригвинчуваний

1796,12 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний

Корпус:
SOT227B

Механічний монтаж:
пригвинчуваний

Напруга сток-джерело:
60В