1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Transistor modules

Модуль; діод/транзистор; 1кВ; 49А; SP6C; Idm: 240А; 1,25кВт

Модуль; діод/транзистор; 1кВ; 49А; SP6C; Idm: 240А; 1,25кВт
Немає в наявності
Код товару: APTM100A13DG
13449,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Крок додавання: 5
Код товару: APTM100A13DG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Корпус: SP6C
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 156мОм
Потужність розсіювання: 1,25кВт
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм стока: 49А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Топологія: напівміст MOSFET + послідовні діоди
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; пригвинчуваний

1602,26 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 500А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 500А; SOT227B; пригвинчуваний

2224,41 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
60В
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1784,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний

2320,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
250нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1839,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний

1912,70 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET