1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Transistor modules

Модуль; діод/транзистор; 500В; 30А; ISOTOP; пригвинчуваний; 378Вт

Модуль; діод/транзистор; 500В; 30А; ISOTOP; пригвинчуваний; 378Вт
Немає в наявності
Код товару: APT5010JLLU3
1835,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT5010JLLU3
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Корпус: ISOTOP
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Потужність розсіювання: 378Вт
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 164А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Топологія: buck chopper
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,4пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,8пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 178В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 178В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

81,09 грн

Зворотна напруга макс.:
160В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC

4324,24 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-5...20В
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 220А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 220А; SOT227B; пригвинчуваний

2214,07 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; пригвинчуваний

3168,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
264нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; Idm: 500А; SiC
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; Idm: 500А; SiC

10014,92 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-10...20В
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 320А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 320А; SOT227B; пригвинчуваний

1963,20 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; пригвинчуваний

2434,52 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-10...20В
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 400А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 400А; SOT227B; пригвинчуваний

1797,23 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
60В