1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Transistor modules

Модуль; діод/транзистор; 600В; 38А; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130А

Модуль; діод/транзистор; 600В; 38А; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130А
Немає в наявності
Код товару: APTCV60TLM45T3G
5241,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 11
Крок додавання: 11
Код товару: APTCV60TLM45T3G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Електричний монтаж: Press-in PCB
Корпус: SP3F
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 45мОм
Потужність розсіювання: 250Вт
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 75А
Струм стока: 38А
Струм стоку в імпульсі: 130А
Технологія: Field Stop; SJ-MOSFET; Trench
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET / IGBT
Топологія: 3-рівневий 1-фазовий інвертор; термістор NTC
Недоступний
IC: PMIC; AC/DC switcher,контролер SMPS; InSOP-24D; flyback; 12Вт
IC: PMIC; AC/DC switcher,контролер SMPS; InSOP-24D; flyback; 12Вт

85,52 грн

Вид об'єднаної схеми:
AC/DC switcher; контролер SMPS
Вхідна напруга:
85...265В
Корпус:
InSOP-24D
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 910кОм; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 910кОм; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

28,63 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±1%
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; пригвинчуваний

1602,11 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 500А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 500А; SOT227B; пригвинчуваний

2224,20 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
60В
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1783,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний

2319,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
250нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1839,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний

1912,52 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,76 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET