Модуль: діодний; подвійна незалежна; 150В; If: 50Аx2; SOT227B

Немає в наявності
Код товару: MBRI2X50-150A
945,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MBRI2X50-150A
Виробник: DACO Semiconductor
Властивості напівпровідникових елементів: Шотткі
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 150В
Корпус: SOT227B
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Пряма напруга макс.: 0,75В
Структура напівпровідника: подвійна незалежна
Струм в імпульсі макс.: 750А
Струм провідності: 50А x2
Тип напівпровідникового модуля: діодний
Недоступний
Резистор: thick film; 453Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 453Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 5мм; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 5мм; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON

811,58 грн

Виводи:
конектори
Властивості датчиків:
L подібний
Дальність:
5мм
Клас герметичності:
IP50
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,5%; ARG; 200В
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,5%; ARG; 200В

1,84 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 180Ом; 1210; 500мВт; ±5%; 3,2x2,5мм
Резистор: thick film; 180Ом; 1210; 500мВт; ±5%; 3,2x2,5мм

2,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 27А; 45Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 27А; 45Вт; ESD

154,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 40÷46В; 6,9А; односпрямована; ±5%; SMA
Діод: TVS; 400Вт; 40÷46В; 6,9А; односпрямована; ±5%; SMA

22,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
36В
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 36В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 36В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

1765,08 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
36В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 2,2кВ; If: 160А; SEMIPACK2; A23
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 2,2кВ; If: 160А; SEMIPACK2; A23

7115,44 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
2,2кВ
Корпус:
SEMIPACK2
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 1,2кВ; If: 150А; A52
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 1,2кВ; If: 150А; A52

3597,32 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMIPACK2
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 1,8кВ; If: 59А; TO240AA; 100А
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 1,8кВ; If: 59А; TO240AA; 100А

1358,97 грн

Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,8кВ
Корпус:
TO240AA
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 1,2кВ; If: 200Аx2; SiC
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 1,2кВ; If: 200Аx2; SiC

3763,31 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
Twin tower B
Модуль: діодний; подвійна незалежна; 300В; If: 280А; SOT227B; 160А
Модуль: діодний; подвійна незалежна; 300В; If: 280А; SOT227B; 160А

1269,01 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
300В
Корпус:
SOT227B
Модуль: діодний; подвійна незалежна; 1,2кВ; If: 128Аx2; ECO-PAC 2
Модуль: діодний; подвійна незалежна; 1,2кВ; If: 128Аx2; ECO-PAC 2

2282,69 грн

Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
ECO-PAC 2
Модуль: діодний; подвійна незалежна; 400В; If: 100Аx2; ISOTOP; 200А
Модуль: діодний; подвійна незалежна; 400В; If: 100Аx2; ISOTOP; 200А

1459,07 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
ISOTOP
Механічний монтаж:
пригвинчуваний