Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 27А; 45Вт; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP80NF10FP
154,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP80NF10FP
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220FP
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 27А
Технологія: STripFET™ II
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 40÷46В; 6,9А; односпрямована; ±5%; SMA
Діод: TVS; 400Вт; 40÷46В; 6,9А; односпрямована; ±5%; SMA

22,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
36В
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 36В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 36В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

1765,08 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
36В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 261Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 261Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Наконечник; спеціальна; 20x43мм; longlife; з нагрівачем
Наконечник; спеціальна; 20x43мм; longlife; з нагрівачем

10684,25 грн

Властивості паяльного обладнання:
LONGLIFE
Застосування паяльного обладнання:
для паяльника; до паяльної станції
Модель:
з нагрівачем
Розміри наконечника:
20x43мм
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 2,2Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

6,40 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP6WF
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP6WF

5,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB