1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; діод/тиристор/IGBT; boost chopper; Urmax: 2,2кВ

Модуль: IGBT; діод/тиристор/IGBT; boost chopper; Urmax: 2,2кВ
Немає в наявності
Код товару: MCNA120UI2200P-PC
6585,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 28
Крок додавання: 28
Код товару: MCNA120UI2200P-PC
Виробник: IXYS
Використання: інвертор
Електричний монтаж: Press-in PCB
Зворотна напруга макс.: 2,2кВ
Корпус: E2-Pack
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/тиристор/IGBT
Струм колектора: 80А
Струм колектора в імпульсі: 150А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: 3-фазний діодно-тиристорний міст; boost chopper
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 139Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 139Вт; PG-TO263-3

175,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,8пФ
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 6,8мкФ; 10ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 6,8мкФ; 10ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; TAJ

8,81 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
6,8мкФ
Корпус:
B
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор

21428,60 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMiX® 4s
Термістор NTC; 118Вт; SiC
Термістор NTC; 118Вт; SiC

4869,68 грн

Потужність розсіювання:
118Вт
Технологія:
SiC
Топологія:
термістор NTC
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

6492,69 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2127,91 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

10047,23 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B

1632,52 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

5307,42 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
35А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ