Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 40А

Немає в наявності
Код товару: SKIIP 24NAB126V10 25230430
4526,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 72
Крок додавання: 72
Код товару: SKIIP 24NAB126V10 25230430
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Використання: для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж: Press-Fit
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: MiniSKiiP® 2
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність: 11кВт
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 40А
Струм колектора в імпульсі: 700А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: 3-фазни діодний міст; 3-фазний міст IGBT; boost chopper; термістор NTC
Недоступний
Діод: зенера; 5Вт; 13В; SMD
Діод: зенера; 5Вт; 13В; SMD

23487,74 грн

Зенерівська напруга:
13В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
5Вт
Тип діода:
зенера
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 2225
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 2225

154,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,9пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 40МГц; 2÷5,5ВDC; SMD; TQFP44; PIC18
IC: мікроконтролер PIC; 40МГц; 2÷5,5ВDC; SMD; TQFP44; PIC18

366,19 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; PoR; watchdog
Інтерфейс:
A/E/USART; ICSP; LIN; MSSP (SPI / I2C); RS232; RS485
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,9пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,27пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,27пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,27пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16В; X7T; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 16В; X7T; ±10%; SMD; 0805

1,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

5052,59 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 27А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 27А

9315,77 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS6
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 93А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 93А

8235,57 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B

1927,27 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SOT227B
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ

9961,37 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2677,40 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B

2431,58 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B