Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXBN42N170A
1927,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXBN42N170A
Виробник: IXYS
Властивості напівпровідникових елементів: високовольтний
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,7кВ
Корпус: SOT227B
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 313Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм колектора: 21А
Струм колектора в імпульсі: 265А
Технологія: BiMOSFET™
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 14,3А; Idm: 81А; 62Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 14,3А; Idm: 81А; 62Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
D2PAK; SOT404
Недоступний
LED; 3мм; червоний/жовто-зелений; 15мкд,40мкд; 60°
LED; 3мм; червоний/жовто-зелений; 15мкд,40мкд; 60°

5,07 грн

Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина хвилі λd:
575нм; 632нм
Колір діода LED:
червоний/жовто-зелений
Кут світіння:
60°
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±5%; 15В
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±5%; 15В

0,25 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Діод: випрямний Шотткі; THT; 100В; 15Аx2; TO220AB; Ufmax: 0,85В
Діод: випрямний Шотткі; THT; 100В; 15Аx2; TO220AB; Ufmax: 0,85В

50,68 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 180МГц; LQFP208; 1,7÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 180МГц; LQFP208; 1,7÷3,6ВDC

856,56 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Інтерфейс:
CAN x2; Ethernet; I2C x3; SDIO; SPI x6; UART x4; USB OTG
Кількість входів/виходів:
168
Корпус:
LQFP208
IC: цифровий; NOR; Ch: 1; IN: 2; TTL; SMD; SC88A; 2÷5,5ВDC; -55÷125°C
IC: цифровий; NOR; Ch: 1; IN: 2; TTL; SMD; SC88A; 2÷5,5ВDC; -55÷125°C

4,31 грн

Вид затвору:
NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
single; 1
Корпус:
SC88A
Резистор: дротяний; 4,7Ом; цементний; 3Вт; 18,7x5,2x6,9мм
Резистор: дротяний; 4,7Ом; цементний; 3Вт; 18,7x5,2x6,9мм

43,27 грн

Вид резистора:
цементний
Довжина:
18,7мм
Опір:
4,7Ом
Потужність:
3Вт
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор

21428,69 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMiX® 4s
Термістор NTC; 118Вт; SiC
Термістор NTC; 118Вт; SiC

4885,33 грн

Потужність розсіювання:
118Вт
Технологія:
SiC
Топологія:
термістор NTC
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

9126,34 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

5425,75 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 14А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 14А

1618,10 грн

Використання:
інвертор
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
ECO-PAC 2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

7149,02 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
AG-62MM-1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

3424,36 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2