1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ
Немає в наявності
Код товару: SKM100GAL17E4 22895100
3129,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SKM100GAL17E4 22895100
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Використання: для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,7кВ
Корпус: SEMITRANS2
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 100А
Струм колектора в імпульсі: 650А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: boost chopper
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

5052,59 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 50А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 50А

15565,15 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS6
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

7032,45 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B

1927,27 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SOT227B
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ

9961,37 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2677,40 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B

2431,58 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B