Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А

Немає в наявності
Код товару: SKM600GA12V 22892113
14960,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SKM600GA12V 22892113
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Використання: для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: SEMITRANS4
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм колектора: 600А
Струм колектора в імпульсі: 1,8кА
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
LED програмований; RGB; SMD; PLCC4; 3,7÷5,5ВDC; 3,5x3,7x1,1мм
LED програмований; RGB; SMD; PLCC4; 3,7÷5,5ВDC; 3,5x3,7x1,1мм

18,37 грн

Довжина хвилі λd:
465...475нм; 520...530нм; 615...625нм
Колір діода LED:
RGB
Корпус:
PLCC4
Корпус - мм:
3535
Недоступний
Пінцет: набір; для точних робіт; 5шт.
Пінцет: набір; для точних робіт; 5шт.

6020,66 грн

Використання інструментів:
для точних робіт
Кількість в наборі/упаковці:
5шт.
Матеріал:
нержавіюча сталь
Тип пінцета:
набір
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; 9,92В; 300А; односпрямована; ±5%; SMC; 5.0SMDJ
Діод: TVS; 5кВт; 9,92В; 300А; односпрямована; ±5%; SMC; 5.0SMDJ

40,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
8,5В
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

5307,91 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
35А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 101А; 234Вт
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 101А; 234Вт

3612,52 грн

Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
234Вт
Струм колектора:
101А
Струм колектора в імпульсі:
101А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

6493,29 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2128,11 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

10048,16 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B

1632,67 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC

7320,08 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,7кВ