Модуль: IGBT; термістор NTC; Field Stop,Trench

Немає в наявності
Код товару: DF80R12W2H3FB11BPSA1
6281,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 15
Крок додавання: 15
Код товару: DF80R12W2H3FB11BPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Напруга затвор - емітер: ±20В
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: термістор NTC
Недоступний
Patch cord; Cat 5; RJ45 вилка,з обох сторін; 35м; тросик; PUR
Patch cord; Cat 5; RJ45 вилка,з обох сторін; 35м; тросик; PUR

22253,41 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М12 "мама"; кутовий; 0,9м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М12 "мама"; кутовий; 0,9м; вилка; 60ВDC

862,82 грн

Довжина кабелю:
0,9м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Діод: зенера; 6,8В; SMD; DO213AB; 3мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 6,8В; SMD; DO213AB; 3мкА; ролик,cтрічка

145,07 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±10%
Зенерівська напруга:
6,8В
Корпус:
DO213AB
Недоступний
Наконечник: кільцевий
Наконечник: кільцевий

Тип наконечника:
кільцевий
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 6÷14мм; NPN; DARK-ON; 50мА
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 6÷14мм; NPN; DARK-ON; 50мА

3810,47 грн

Дальність:
6...14мм
Довжина відводів:
2м
Зовнішні розміри:
8,2x25x12,3мм
Клас герметичності:
IP67
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ

9961,71 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2677,15 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B

2431,35 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B
Термістор NTC; 69Вт; SiC
Термістор NTC; 69Вт; SiC

3700,24 грн

Потужність розсіювання:
69Вт
Технологія:
SiC
Топологія:
термістор NTC
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 30А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 30А

3055,35 грн

Використання:
двигуни; інвертор
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SEMITOP3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 150А; ISOTOP
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 150А; ISOTOP

1113,05 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
ISOTOP
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 27А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 27А

9316,18 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS6