Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 50А; AG-ECONO3-3; інвертор; 280Вт

Немає в наявності
Код товару: FP50R12KT4GBOSA1
4631,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10
Крок додавання: 10
Код товару: FP50R12KT4GBOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Використання: інвертор
Корпус: AG-ECONO3-3
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 280Вт
Струм колектора: 50А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: термістор NTC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 630В; X7T; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 630В; X7T; ±10%; SMD; 1812

12,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: інтерфейс; рація; full duplex,RS485; 50000кбіт/с; VSSOP8; ESD
IC: інтерфейс; рація; full duplex,RS485; 50000кбіт/с; VSSOP8; ESD

0,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
рація
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
differential
Інтерфейс:
full duplex; RS485
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

29,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Connector: PCB to PCB; plug; data; PIN: 20; SlimStack; vertical
Connector: PCB to PCB; plug; data; PIN: 20; SlimStack; vertical

111,51 грн

Connector family:
data
Висота:
5мм
Висота після з'єднання:
5мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,056мкФ; 1кВDC; 21x7,5x17мм; THT
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,056мкФ; 1кВDC; 21x7,5x17мм; THT

22,55 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
56нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
17,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

1,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; 100мА; 1210
Запобіжник: полімерний PTC; 100мА; 1210

6,15 грн

Корпус - дюйм:
1210
Максимальна напруга:
60В
Номінальний струм:
0,1А
Опір макс.:
15Ом
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор

21428,69 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMiX® 4s
Термістор NTC; 118Вт; SiC
Термістор NTC; 118Вт; SiC

4885,33 грн

Потужність розсіювання:
118Вт
Технологія:
SiC
Топологія:
термістор NTC
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

6492,66 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2128,11 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

10046,90 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B

1631,40 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

5307,91 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
35А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ