Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 560А; AG-ECONOD-3; 1,45кВт

Немає в наявності
Код товару: FF450R07ME4B11BPSA1
7761,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10
Крок додавання: 10
Код товару: FF450R07ME4B11BPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Корпус: AG-ECONOD-3
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 1,45кВт
Струм колектора: 560А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: термістор NTC
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення

553,73 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Тип роз’єму:
роз'єднувальна клемова рейка
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 56; THT; 3A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 56; THT; 3A; 125V

255,32 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
8мм
Довжина відводів:
3,3мм
Резистор: thick film; 270кОм; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 270кОм; ±5%; -55÷155°C

51,95 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Опір:
270кОм
Робоча температура:
-55...155°C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 4В; X6S; ±20%; SMD; 0805; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 4В; X6S; ±20%; SMD; 0805; 180мм

0,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 93А; Idm: 522А; 41Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 93А; Idm: 522А; 41Вт; DFN5

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
DFN5
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 16; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 16; THT; 1.5A; 60V

118,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
16
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 26,7В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 26,7В; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

269,26 грн

Зворотна напруга макс.:
24В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А

9728,22 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; 3-рівневий 1-фазовий інвертор
Модуль: IGBT; діод/транзистор; 3-рівневий 1-фазовий інвертор

5764,71 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SEMITOP4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А

1524,96 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP2
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC; 15A
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC; 15A

64928,49 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
15А
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; термістор NTC; 158Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; термістор NTC; 158Вт; Field Stop,Trench

2031,17 грн

Потужність розсіювання:
158Вт
Струм колектора в імпульсі:
68А
Технологія:
Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля:
IGBT
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

9126,34 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

5425,75 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2