Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Інвертор TNPC 3 рівня

Немає в наявності
Код товару: SKIM401TMLI12E4B 23918950
27618,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SKIM401TMLI12E4B 23918950
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Використання: для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж: Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: SKiM4
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм колектора: 400А
Струм колектора в імпульсі: 1,2кА
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: Інвертор TNPC 3 рівня; термістор NTC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,3пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Uвих: 12ВDC; THT; RP20-FR
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Uвих: 12ВDC; THT; RP20-FR

4033,20 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вхідна напруга:
43...160В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; мінімальна напруга UVP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Кількість виходів:
1
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; односпрямована; P600; 5KP; Ammo Pack
Діод: TVS; 5кВт; односпрямована; P600; 5KP; Ammo Pack

83,00 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
9В
Корпус:
P600
Монтаж:
THT
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

6492,66 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2128,11 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

10046,90 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B

1631,40 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC

7319,45 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 150А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 150А

10282,58 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMIX®13
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

5307,91 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
35А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ