Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: HFGM300D12V3
5620,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: HFGM300D12V3
Виробник: HUAJING
Використання: для UPS; інвертор
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: V3 62MM
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±30В
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм колектора: 300А
Струм колектора в імпульсі: 600А
Технологія: PT
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: півмісток IGBT
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 649Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 649Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: D-Sub HD; PIN: 44; socket; female; data transfer; THT
Connector: D-Sub HD; PIN: 44; socket; female; data transfer; THT

174,86 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
44
Недоступний
Tap: metric; M2; right hand thread; 0.4; L: 45mm; 2.1mm
Tap: metric; M2; right hand thread; 0.4; L: 45mm; 2.1mm

252,79 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для крізних отворів
Діод: TVS; 5кВт; 122÷140,5В; односпрямована; P600; 5KP; Ammo Pack
Діод: TVS; 5кВт; 122÷140,5В; односпрямована; P600; 5KP; Ammo Pack

43,72 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
110В
Корпус:
P600
Монтаж:
THT
Недоступний
Вставник громовідвід; 12,5кА; підставка; 550ВDC
Вставник громовідвід; 12,5кА; підставка; 550ВDC

7124,95 грн

Монтаж:
підставка
Номінальний ударний струм In (8/20) мкс:
12,5кА
Робоча напруга макс.:
550В DC
Тип аксесуарів, що підключаються:
вставник громовідвід
1м
1м

1299,42 грн

Довжина кабелю:
1м
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0603; -55÷155°C
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0603; -55÷155°C

0,07 грн

Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Опір:
0Ом
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

5307,91 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
35А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 101А; 234Вт
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 101А; 234Вт

3623,93 грн

Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
234Вт
Струм колектора:
101А
Струм колектора в імпульсі:
101А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

6492,66 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2128,11 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

10046,90 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B

1631,40 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC

7319,45 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,7кВ