1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Transistor modules

Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 15А; ISOTOP; пригвинчуваний

Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 15А; ISOTOP; пригвинчуваний
Немає в наявності
Код товару: APT12080JVFR
2572,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT12080JVFR
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Корпус: ISOTOP
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 450Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 53,3В; 7,7А; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 53,3В; 7,7А; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

61,45 грн

Зворотна напруга макс.:
48В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD; 0603

0,51 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний

2320,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
250нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1839,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2289,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний

2273,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2423,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний

1456,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP