1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Transistor modules

Модуль; одиночний транзистор; 100В; 225А; ISOTOP; пригвинчуваний

Модуль; одиночний транзистор; 100В; 225А; ISOTOP; пригвинчуваний
Немає в наявності
Код товару: APT10M07JVFR
3462,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT10M07JVFR
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Корпус: ISOTOP
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 700Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 225А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 50МГц; I2C,UART; 64кБFLASH; I/O: 52
IC: мікроконтролер ARM; 50МГц; I2C,UART; 64кБFLASH; I/O: 52

1884,19 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; UART
Кількість входів/виходів:
52
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; польовий; 20В; 1,5А; Idm: 3А; ESD
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; польовий; 20В; 1,5А; Idm: 3А; ESD

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
TSOT25
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC

4325,90 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-5...20В
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 220А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 220А; SOT227B; пригвинчуваний

2213,00 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; пригвинчуваний

3169,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
264нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; Idm: 500А; SiC
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; Idm: 500А; SiC

10018,39 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-10...20В
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 320А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 320А; SOT227B; пригвинчуваний

1961,48 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; пригвинчуваний

2433,48 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-10...20В
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 400А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 400А; SOT227B; пригвинчуваний

1796,12 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
60В