1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Transistor modules

Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 13А; ISOTOP; пригвинчуваний

Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 13А; ISOTOP; пригвинчуваний
Немає в наявності
Код товару: APT21M100J
1702,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT21M100J
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Корпус: ISOTOP
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 0,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 462Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Технологія: POWER MOS 8®
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 49,9Вт; Iвих: 2,08А; Quarter Brick; THT; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 49,9Вт; Iвих: 2,08А; Quarter Brick; THT; OUT: 1

Вихідна напруга:
24В
Вихідний струм:
2,08А
Відповідність стандарту:
CE
Додаткові функції:
OFF
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 300А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 300А; SOT227B; пригвинчуваний

1661,18 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
60В
Модуль; одиночний транзистор; 250В; 168А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 250В; 168А; SOT227B; пригвинчуваний

1288,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
364нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC

4325,90 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-5...20В
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 220А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 220А; SOT227B; пригвинчуваний

2213,00 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; пригвинчуваний

3169,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
264нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; Idm: 500А; SiC
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; Idm: 500А; SiC

10018,39 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-10...20В
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 320А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 320А; SOT227B; пригвинчуваний

1961,48 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В