Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 97А; SP6C; Idm: 516А; 2272Вт

Немає в наявності
Код товару: APTM100UM60FAG
18208,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4
Крок додавання: 4
Код товару: APTM100UM60FAG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Корпус: SP6C
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,272кВт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 97А
Струм стоку в імпульсі: 516А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 69кОм; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 69кОм; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
69кОм
Трансформатор: литий; 2ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 80мА; 80мА; PCB; IP00
Трансформатор: литий; 2ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 80мА; 80мА; PCB; IP00

188,80 грн

Виводи вторинної обмотки:
6-7, 9-10
Виводи первинної обмотки:
1-5
Відповідність стандарту:
PN EN 61558
Вторинна напруга 1:
12В
Резистор: thick film; 402кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 402кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C

0,05 грн

Діаметр роліка макс.:
178мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,5А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,5А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT23
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2мкФ; 400ВDC; 200ВAC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2мкФ; 400ВDC; 200ВAC; THT; ±10%

165,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V

21,54 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 4,75кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 4,75кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний

2320,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
250нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1839,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний

1912,70 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний

2273,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2423,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2289,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP