1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Transistor modules

Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 110А; HB9434; пригвинчуваний

Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 110А; HB9434; пригвинчуваний
Немає в наявності
Код товару: DAMH160N200
6296,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DAMH160N200
Виробник: DACO Semiconductor
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Корпус: HB9434
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга сток-джерело: 200В
Поляризація: польовий
Робоча температура: -55...150°C
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм стока: 110А
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Топологія: півмісток MOSFET
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; пригвинчуваний

1602,26 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний

2320,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
250нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1839,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний

1912,70 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2423,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2289,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET