Модуль; транзистор/транзистор; 650В; 33А; APM16-CAA; THT; 135Вт

Немає в наявності
Код товару: FAM65HR51DS2
1957,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FAM65HR51DS2
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: туба
Електричний монтаж: THT
Корпус: APM16-CAA
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 79мОм
Потужність розсіювання: 135Вт
Структура напівпровідника: транзистор/транзистор
Струм стока: 33А
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Топологія: місток H
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 144В; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 144В; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

273,06 грн

Зворотна напруга макс.:
130В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
LED; червоний; SMD; 0805; 25мкд; 140°; 20мА; 650нм; Лінза: прозора
LED; червоний; SMD; 0805; 25мкд; 140°; 20мА; 650нм; Лінза: прозора

2,95 грн

Довжина хвилі λd:
650нм
Колір діода LED:
червоний
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4пФ
Недоступний
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 8А; Igt: 25мкА; TO220AB; THT
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 8А; Igt: 25мкА; TO220AB; THT

0,00 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220AB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 500В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 500В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

2,70 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
0805
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний

2320,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
250нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1839,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний

1901,93 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний

2273,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2423,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2289,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP