Модуль: транзисторний MOSFET

Немає в наявності
Код товару: FF11MR12W2M1HB70BPSA1
6701,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 15
Крок додавання: 15
Код товару: FF11MR12W2M1HB70BPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 3ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 3ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А

139,37 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
15x7,4x8,4мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 30ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 30ВDC

0,00 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 2; NC + NO x2; чорний; немає
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 2; NC + NO x2; чорний; немає

861,55 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Властивості перемикачів:
із захисною кришкою
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

680,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь

46,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

288,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8

82,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD