Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; ±30%; 2,4А; ферит; 6,5мм; 105мОм

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SRU1063-330Y
26,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 500
Код товару: SRU1063-330Y
Виробник: BOURNS
Високосортність: 12
Висота: 6,5мм
Допуск: ±30%
Індуктивність: 33мкГн
Матеріал стержня: ферит
Монтаж: SMD
Опір макс.: 105мОм
Робоча температура: -40...125°C
Струм насичення: 2,4А
Тестова частота: 0,1МГц
Тип реактора: дротяний
Частота резонансна: 8МГц
Недоступний
Резистор: thick film; 17,8кОм; THT; TO220; 20Вт; ±10%; 500В
Резистор: thick film; 17,8кОм; THT; TO220; 20Вт; ±10%; 500В

384,57 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±10%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 2,2мкФ; 400ВAC; 1кВDC; 37,5мм; ±10%
Конденсатор: поліестровий; 2,2мкФ; 400ВAC; 1кВDC; 37,5мм; ±10%

228,08 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
конденсатори із збільшеним ресурсом
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 17МГц; Ch: 4; Uробоча: 1,8÷24В; SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 17МГц; Ch: 4; Uробоча: 1,8÷24В; SO14

752,03 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low voltage; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,3мВ
Кількість каналів:
4
Корпус:
SO14
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

3,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,7пФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

0,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
256Кx16бит
Реактор: котушка; SMD; 0603; 33нГн; 600мА; R: 0,22Ом; ±5%
Реактор: котушка; SMD; 0603; 33нГн; 600мА; R: 0,22Ом; ±5%

4,75 грн

Високосортність:
43
Допуск:
±5%
Індуктивність:
33нГн
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 240нГн; ±20%; 2,7x2,2x1,2мм; 6,5А; 23мОм
Реактор: дротяний; SMD; 240нГн; ±20%; 2,7x2,2x1,2мм; 6,5А; 23мОм

10,07 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,24мкГн
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
23мОм
Реактор: котушка; SMD; 0805; 2,2нГн; 800мА; R: 0,06Ом; 0,3нГн
Реактор: котушка; SMD; 0805; 2,2нГн; 800мА; R: 0,06Ом; 0,3нГн

6,21 грн

Високосортність:
50
Допуск:
0,3нГн
Індуктивність:
2,2нГн
Корпус - дюйм:
0805
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±10%; 9,6А; ферит; 16мм; -40÷155°C
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±10%; 9,6А; ферит; 16мм; -40÷155°C

133,05 грн

Висота:
16мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Індуктивність:
22мкГн
Реактор: котушка; SMD; 1008; 82нГн; 1000мА; R: 0,18Ом; ±5%
Реактор: котушка; SMD; 1008; 82нГн; 1000мА; R: 0,18Ом; ±5%

5,01 грн

Високосортність:
60
Допуск:
±5%
Індуктивність:
82нГн
Корпус - дюйм:
1008
Реактор: film; SMD; 0201; 18нГн; 250мА; R: 0,8Ом; ±3%; LQP; 180мм
Реактор: film; SMD; 0201; 18нГн; 250мА; R: 0,8Ом; ±3%; LQP; 180мм

5,70 грн

Високосортність:
20
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±3%
Індуктивність:
18нГн
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; 1,47А; R: 81мОм; ±20%; 7,3x7,3x4,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 15мкГн; 1,47А; R: 81мОм; ±20%; 7,3x7,3x4,5мм

15,33 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
15мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
81мОм