Реактор: феритовий; SMD; 1210; 1мкГн; 400мА; R: 0,7Ом; ±5%; -40÷105°C

Немає в наявності
Код товару: NLV32T-1R0J-EFD
5,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: NLV32T-1R0J-EFD
Виробник: TDK
Високосортність: 30
Допуск: ±5%
Індуктивність: 1мкГн
Корпус - дюйм: 1210
Монтаж: SMD
Опір: 0,7Ом
Робоча температура: -40...105°C
Робочий струм: 0,4А
Тестова частота: 7,96МГц
Тип реактора: феритовий
Частота резонансна: 0,12ГГц
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Введення; Øмонт.отв: 15мм; Øотв: 11мм; чорний; 0÷80°C; ПВХ
Введення; Øмонт.отв: 15мм; Øотв: 11мм; чорний; 0÷80°C; ПВХ

9,63 грн

Діаметр зовнішній:
20мм
Діаметр монтажного отвору:
15мм
Діаметр отвору:
11мм
Колір корпусу:
чорний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; CTR@If: 100%@10mA
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; CTR@If: 100%@10mA

45,62 грн

CTR@If:
100%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Відповідність стандарту:
VDE
Недоступний
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 18мкГн; Iробочий: 2,8А; R: 69,15мОм; ±10%

6,97 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мГн; Iробочий: 70мА; R: 109,64Ом; ±10%

9,50 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит
Реактор: дротяний; THT; 1,5мГн; ±10%; 80мА; Вив: радіальні; ферит

11,28 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
20
Діаметр:
8,7мм
Допуск:
±10%
Реактор: феритовий; 330нГн; Iробочий: 37,3А; R: 1,27мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 330нГн; Iробочий: 37,3А; R: 1,27мОм; ±20%

67,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Зовнішні розміри:
10,8x10x5,4мм
Індуктивність:
0,33мкГн
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн
Реактор: дротяний; THT; L: 9,1мГн; 33x25x33мм; Інд.один.обм: 2,1мГн

138,75 грн

Висота:
32,995мм
Індуктивність:
9,1мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
2,1мГн
Монтаж:
THT
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C
Реактор: дротяний; SMD; 56мкГн; 750мА; R: 350мОм; ±20%; -40÷85°C

14,83 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
56мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
0,35Ом
Реактор: феритовий; 15мкГн; Iробочий: 8,2А; R: 30,8мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 15мкГн; Iробочий: 8,2А; R: 30,8мОм; ±20%

191,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Зовнішні розміри:
13,2x12,5x5мм
Індуктивність:
15мкГн