Реактор: феритовий; SMD; 1210; 1мкГн; 400мА; R: 0,7Ом; ±5%; -40÷105°C

Немає в наявності
Код товару: NLV32T-1R0J-EFD
5,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: NLV32T-1R0J-EFD
Виробник: TDK
Високосортність: 30
Допуск: ±5%
Індуктивність: 1мкГн
Корпус - дюйм: 1210
Монтаж: SMD
Опір: 0,7Ом
Робоча температура: -40...105°C
Робочий струм: 0,4А
Тестова частота: 7,96МГц
Тип реактора: феритовий
Частота резонансна: 0,12ГГц
Недоступний
Резистор: thin film; 475Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 475Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%

4,50 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 110Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 110Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
110Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 6,3ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 6,3ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603

1,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 60А

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
80нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,7пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 160ВDC; Ø10x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 160ВDC; Ø10x20мм; ±20%

8,68 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
33мкФ
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 150Вт; 85÷264ВAC; OUT: 1
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 150Вт; 85÷264ВAC; OUT: 1

5506,85 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Використання:
медичні програми; телекомунікація
Вихідна напруга:
28В DC
Вихідний струм:
5,4А
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; 4А; R: 45,3мОм; Реактор: кільцевий
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; 4А; R: 45,3мОм; Реактор: кільцевий

108,97 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Діаметр:
20мм
Застосування реакторів:
імпульсні блоки живлення
Індуктивність:
47мкГн
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; 30А; R: 3,7мОм; Реактор: кільцевий
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; 30А; R: 3,7мОм; Реактор: кільцевий

217,31 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Діаметр:
33,5мм
Застосування реакторів:
імпульсні блоки живлення
Індуктивність:
22мкГн
Реактор: дротяний; THT; 680мкГн; 6А; R: 205мОм; Реактор: кільцевий
Реактор: дротяний; THT; 680мкГн; 6А; R: 205мОм; Реактор: кільцевий

446,66 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Діаметр:
52мм
Застосування реакторів:
імпульсні блоки живлення
Індуктивність:
0,68мГн
Реактор: дротяний; THT; L: 100мкГн; 5А; R: 59мОм; Реактор: кільцевий
Реактор: дротяний; THT; L: 100мкГн; 5А; R: 59мОм; Реактор: кільцевий

210,97 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Діаметр:
30мм
Індуктивність:
0,1мГн
Індуктивність @ IAC=0A:
172мкГн
Реактор: дротяний; THT; 120мкГн; Iробочий: 2А; R: 250мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 120мкГн; Iробочий: 2А; R: 250мОм; ±10%

20,91 грн

Виводи:
2pin
Висота:
13,5мм
Діаметр:
9,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; 2,9А; R: 65,7мОм; ±20%; ETQP3M
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; 2,9А; R: 65,7мОм; ±20%; ETQP3M

32,31 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 1000мкГн; 120мА; R: 6,1Ом; ±10%; -40÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 1000мкГн; 120мА; R: 6,1Ом; ±10%; -40÷125°C

158,39 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
1мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
6,1Ом