1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 60А

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 60А
Немає в наявності
Код товару: SI7994DP-T1-GE3
60,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7994DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 46Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,7пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 160ВDC; Ø10x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 160ВDC; Ø10x20мм; ±20%

8,68 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
33мкФ
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 150Вт; 85÷264ВAC; OUT: 1
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 150Вт; 85÷264ВAC; OUT: 1

5506,85 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Використання:
медичні програми; телекомунікація
Вихідна напруга:
28В DC
Вихідний струм:
5,4А
Недоступний
Резистор: thick film; 8,45кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 8,45кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 35ВDC; Ø6,3x5,4мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 35ВDC; Ø6,3x5,4мм; ±20%

24,71 грн

Висота:
5,4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
560пФ
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 355 C 300V; 9x1мм2; зшитий полімер; чорний
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 355 C 300V; 9x1мм2; зшитий полімер; чорний

453,62 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363