Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; NS; 150В

Немає в наявності
Код товару: NS05W3F1302T5E
0,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: NS05W3F1302T5E
Виробник: ROYALOHM
Відповідність стандарту: AEC-Q200
Допуск: ±1%
Імпульсна макс. напруга: 300В
Корпус - дюйм: 0805
Корпус - мм: 2012
Монтаж: SMD
Опір: 13кОм
Потужність: 0,33Вт
Робоча напруга: 150В
Робоча температура: -55...155°C
Серія виробника: NS
Температурний коефіцієнт: 100ppm/°C
Тип резистора: thick film
Конденсатор: електролітичний; THT; 10000мкФ; 16ВDC; Растр: 7,5мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 10000мкФ; 16ВDC; Растр: 7,5мм

112,14 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
35,5мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33мкФ
IC: SoC; QFN48; 256кБRAM,1МБFLASH; Таймери 32бита: 5; 1,7÷5,5ВDC
IC: SoC; QFN48; 256кБRAM,1МБFLASH; Таймери 32бита: 5; 1,7÷5,5ВDC

320,58 грн

Версія Bluetooth:
5.0; BLE
Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PPI; PWM; RNG; RSSI; RTC
Інтерфейс:
GPIO; I2C; I2S; NFC-A; PDM; QDEC; QSPI; SPI; USB
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 8нс; TFBGA48; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 8нс; TFBGA48; -40÷85°C

312,98 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TFBGA48
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 4А; 30нс; MELF; Ufmax: 1,35В; Ifsm: 75А
Діод: випрямний; SMD; 200В; 4А; 30нс; MELF; Ufmax: 1,35В; Ifsm: 75А

863,53 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
MELF
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кристал; 16МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±20ppm
Кристал; 16МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±20ppm

15,33 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В

0,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,87 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thin film; 3,3Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±0,5%; ARG; 150В
Резистор: thin film; 3,3Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±0,5%; ARG; 150В

1,34 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thin film; 249Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 249Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 2,2МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2,2МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Резистор: thin film; 56,2Ом
Резистор: thin film; 56,2Ом

15,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Опір:
56,2Ом
Тип резистора:
thin film
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Резистор: thick film; 27кОм; 0805; 250мВт; ±1%; 2x1,25x0,55мм
Резистор: thick film; 27кОм; 0805; 250мВт; ±1%; 2x1,25x0,55мм

1,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012