38,01 грн
| Довготривала стабільність: ±3ppm/рік |
| Ємність: 15пФ |
| Робоча напруга: 2,2В |
| Робоча температура: -40...85°C |
1,34 грн
| Відповідність стандарту: AEC-Q200 |
| Допуск: ±1% |
| Імпульсна макс. напруга: 150В |
| Корпус - дюйм: 0603 |
0,00 грн
| Конфігурація контактів: DPDT |
| Матеріал контакту: Ag/Au |
| Монтаж: THT |
| Напруга котушки: 12В DC |
0,00 грн
| Вид архітектури: Cortex M0+ |
| Вид упаковки: лоток |
| Властивості інтегральних мікросхем: 12bit ADC; AES; Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; RTC; TRNG; watchdog |
| Інтерфейс: I2C x2; LPUART; SPI x2; USART x2 |
2,11 грн
| Вид конденсатора: MLCC |
| Діаметр роліка макс.: 180мм |
| Діелектрик: C0G (NP0) |
| Допуск: ±2% |
0,08 грн
| Вид конденсатора: MLCC |
| Діаметр роліка макс.: 180мм |
| Діелектрик: C0G (NP0) |
| Ємність: 9,8пФ |
44,98 грн
| Вид каналу: збагачений |
| Корпус: SOT223 |
| Монтаж: SMD |
| Напруга затвор-джерело: ±20В |
0,87 грн
| Допуск: ±1% |
| Імпульсна макс. напруга: 300В |
| Корпус - дюйм: 0805 |
| Корпус - мм: 2012 |
1,34 грн
| Допуск: ±0,5% |
| Імпульсна макс. напруга: 300В |
| Корпус - дюйм: 0805 |
| Корпус - мм: 2012 |
4,43 грн
| Відповідність стандарту: AEC-Q200 |
| Допуск: ±0,1% |
| Імпульсна макс. напруга: 150В |
| Корпус - дюйм: 0603 |
0,10 грн
| Допуск: ±5% |
| Корпус - дюйм: 0805 |
| Корпус - мм: 2012 |
| Монтаж: SMD |
15,08 грн
| Відповідність стандарту: AEC-Q200 |
| Модель: ESD |
| Опір: 56,2Ом |
| Тип резистора: thin film |
0,08 грн
| Відповідність стандарту: AEC-Q200 |
| Допуск: ±1% |
| Корпус - дюйм: 0402 |
| Корпус - мм: 1005 |
1,08 грн
| Відповідність стандарту: AEC-Q200 |
| Допуск: ±1% |
| Корпус - дюйм: 0805 |
| Корпус - мм: 2012 |