1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,35А; 1,8Вт; SOT223

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,35А; 1,8Вт; SOT223
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSP88H6327XTSA1
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSP88H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 240В
Опір в стані провідності: 6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: 0,35А
Технологія: SIPMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 1210

25,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

1,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 4кВ; Uce: 48В; Urmax: 6В
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 4кВ; Uce: 48В; Urmax: 6В

61,45 грн

Вид виходу:
транзисторний
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
Gull wing 4
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; PS; 200В
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; PS; 200В

1,85 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М8 "мама"; кутовий; 1,5м; вилка; 250ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М8 "мама"; кутовий; 1,5м; вилка; 250ВDC

441,59 грн

Довжина кабелю:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
3
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 5A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 5A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)

174,86 грн

Виводи:
для друку; кутові
Властивості перемикачів:
без важеля
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 120мкФ; 400ВDC; Ø20x35мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 120мкФ; 400ВDC; Ø20x35мм

104,54 грн

Висота:
35мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм; висока довговічність
Діаметр:
20мм
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD