Тиристор: таблетковий; Urmax: 2кВ; Ifмакс: 2кА; 990А; Igt: 100/200мА

Немає в наявності
Код товару: VS-ST730C20L1
10746,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: VS-ST730C20L1
Виробник: VISHAY
Виводи: конектори FASTON
Вид упаковки: розсипний
Зворотна напруга макс.: 2кВ
Корпус: B-PUK; TO200AC
Монтаж: Press-Pack
Поріг напруги спрацьовування: 0,98В
Пряма напруга макс.: 1,62В
Серія виробника: VS-ST730CL
Струм вентиля: 100/200мА
Струм в імпульсі макс.: 17,8кА
Струм провідності: 990А
Струм провідності макс.: 2кА
Тип тиристора: таблетковий
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 36,8В; 8,26А; односпрямована; SMF,SOD123F
Діод: TVS; 400Вт; 36,8В; 8,26А; односпрямована; SMF,SOD123F

20,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SMF; SOD123F
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; ±20%; 330мА; ферит; 520мОм
Реактор: дротяний; SMD; 220мкГн; ±20%; 330мА; ферит; 520мОм

6,46 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мГн
Матеріал стержня:
ферит
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 008004
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 008004

2,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 82кОм; прецизійний; SMD; 1210; 300мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 82кОм; прецизійний; SMD; 1210; 300мВт; ±0,1%

6,34 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Провід; OZ; OZ500-HMH-C; 2x4мм2; LSZH; сірий; 300В,500В; CPR: Dca
Провід; OZ; OZ500-HMH-C; 2x4мм2; LSZH; сірий; 300В,500В; CPR: Dca

451,72 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
OZ
Недоступний
Резистор: metal oxide; 100Ом; THT; 1Вт; ±5%; 500В; Ø2,5x6,5мм
Резистор: metal oxide; 100Ом; THT; 1Вт; ±5%; 500В; Ø2,5x6,5мм

1,74 грн

Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
Ø2,5x6,5мм
Кількість в наборі/упаковці:
2000шт.
Монтаж:
THT
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6А; 1,6Вт; SO8

0,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
8,1нКл
Тиристор: таблетковий; 2,8кВ; Ifмакс: 1100А; 640А; Igt: 400мА
Тиристор: таблетковий; 2,8кВ; Ifмакс: 1100А; 640А; Igt: 400мА

10660,81 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
phase control thyristor (PCT)
Зворотна напруга макс.:
2,8кВ
Монтаж:
Press-Pack
Розміри корпусу:
Ø60/Ø34мм
Тиристор: таблетковий; 2,8кВ; Ifмакс: 2,21кА; 1,4кА; Igt: 400мА
Тиристор: таблетковий; 2,8кВ; Ifмакс: 2,21кА; 1,4кА; Igt: 400мА

16772,70 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
phase control thyristor (PCT)
Зворотна напруга макс.:
2,8кВ
Монтаж:
Press-Pack
Розміри корпусу:
Ø74,5/Ø47мм
Тиристор: таблетковий; 1,6кВ; Ifмакс: 1,6кА; 760А; Igt: 200мА; SK760
Тиристор: таблетковий; 1,6кВ; Ifмакс: 1,6кА; 760А; Igt: 200мА; SK760

5036,75 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
TO200AC
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 1,2кВ; Ifмакс: 1,6кА; 760А; Igt: 200мА; SK760
Тиристор: таблетковий; 1,2кВ; Ifмакс: 1,6кА; 760А; Igt: 200мА; SK760

4801,70 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO200AC
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 800В; Ifмакс: 1100А; 700А; Igt: 150мА; 7мкс
Тиристор: таблетковий; 800В; Ifмакс: 1100А; 700А; Igt: 150мА; 7мкс

5252,16 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO200AB
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 2,4кВ; Ifмакс: 1570А; 1кА; Igt: 200мА; A24
Тиристор: таблетковий; 2,4кВ; Ifмакс: 1570А; 1кА; Igt: 200мА; A24

9854,93 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
2,4кВ
Корпус:
A24
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 1,8кВ; Ifмакс: 1,6кА; 760А; Igt: 200мА; SK760
Тиристор: таблетковий; 1,8кВ; Ifмакс: 1,6кА; 760А; Igt: 200мА; SK760

5121,01 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,8кВ
Корпус:
TO200AC
Монтаж:
Press-Pack